SiC (carburo de silicio) Schottky Diódos simples

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tecnología	Voltaje - CC inverso (Vr) (Máx.)	Corriente - Promedio rectificado (Io)	Voltaje - Directo (Vf) (máx.) a If	Velocidad	Tiempo de recuperación inversa (trr)	Corriente - Fuga inversa a Vr	Capacitancia según Vr, F	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete / Caja (carcasa)	Paquete del dispositivo del proveedor	Temperatura de funcionamiento: acoplamiento
GB01SLT06-214 DIODE SIL CARB 650V 1A DO214AA GeneSiC Semiconductor	4,234 En stock	1 : $1.63000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $1.01001 Cinta y rollo (TR)	-	SiC Schottky MPS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	SiC (carburo de silicio) Schottky	650 V	1A	2 V @ 1 A	Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io)	0 ns	10 µA @ 6.5 V	76pF a 1V, 1MHz	-	-	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	DO-214AA	-55°C ~ 175°C
IDH04G65C6XKSA1 DIODE SIL CARB 650V 12A PGTO220 Infineon Technologies	7,115 En stock	1 : $2.33000 Tubo	-	-	Tubo	Activo	SiC (carburo de silicio) Schottky	650 V	12A	1.35 V @ 4 A	Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io)	0 ns	14 µA @ 420 V	205pF a 1V, 1MHz	-	-	Orificio pasante	TO-220-2	PG-TO220-2	-55°C ~ 175°C
CSD01060E-TR DIODE SIL CARB 600V 4A TO252-2 Wolfspeed, Inc.	619 En stock	1 : $2.36000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.67284 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	Zero Recovery™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	SiC (carburo de silicio) Schottky	600 V	4A	1.8 V @ 1 A	Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io)	0 ns	100 µA @ 600 V	80pF a 0V, 1MHz	-	-	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63	TO-252-2	-55°C ~ 175°C
IDM02G120C5XTMA1 DIODE SIL CARB 1200V 2A PGTO2522 Infineon Technologies	36,657 En stock	1 : $2.51000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.74057 Cinta y rollo (TR)	-	CoolSiC™+	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	SiC (carburo de silicio) Schottky	1200 V	2A	1.65 V @ 2 A	Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io)	0 ns	18 µA @ 1200 V	182pF a 1V, 1MHz	-	-	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63	PG-TO252-2	-55°C ~ 175°C
GB01SLT12-214 DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 2.5A SMB GeneSiC Semiconductor	44,817 En stock	1 : $2.57000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $1.68000 Cinta y rollo (TR)	-	SiC Schottky MPS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	SiC (carburo de silicio) Schottky	1200 V	2.5A	1.8 V @ 1 A	Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io)	0 ns	10 µA @ 1200 V	69pF a 1V, 1MHz	-	-	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	DO-214AA (SMB)	-55°C ~ 175°C
C3D04060E-TR DIODE SIL CARB 600V 13.5A TO252 Wolfspeed, Inc.	2,298 En stock	1 : $2.89000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.81200 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	Z-Rec®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	SiC (carburo de silicio) Schottky	600 V	13.5A	1.8 V @ 4 A	Recuperación rápida =< 500ns, > 200mA (Io)	-	50 µA @ 600 V	251pF a 0V, 1MHz	-	-	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63	TO-252-2	-55°C ~ 175°C
C3D04060A DIODE SIL CARB 600V 13.5A TO220 Wolfspeed, Inc.	4,216 En stock	1 : $2.93000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	Z-Rec®	Tubo	Activo	SiC (carburo de silicio) Schottky	600 V	13.5A	1.8 V @ 4 A	Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io)	0 ns	50 µA @ 600 V	251pF a 0V, 1MHz	-	-	Orificio pasante	TO-220-2	TO-220-2	-55°C ~ 175°C
C4D02120E-TR DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2522 Wolfspeed, Inc.	4,627 En stock	1 : $3.12000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.94361 Cinta y rollo (TR)	-	Z-Rec®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	SiC (carburo de silicio) Schottky	1200 V	10A	1.8 V @ 2 A	Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io)	0 ns	50 µA @ 1200 V	167pF a 0V, 1MHz	-	-	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63	TO-252-2	-55°C ~ 175°C
C4D02120E DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2522 Wolfspeed, Inc.	7,387 En stock	1 : $3.17000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	Z-Rec®	Tubo	Activo	SiC (carburo de silicio) Schottky	1200 V	10A	1.8 V @ 2 A	Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io)	0 ns	50 µA @ 1200 V	167pF a 0V, 1MHz	-	-	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63	TO-252-2	-55°C ~ 175°C
STPSC2H12B2Y-TR DIODE SIL CARBIDE 1200V 5A DPAK STMicroelectronics	14,991 En stock	1 : $3.18000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $1.05930 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	SiC (carburo de silicio) Schottky	1200 V	5A	1.5 V @ 2 A	Recuperación rápida =< 500ns, > 200mA (Io)	-	12 µA @ 1200 V	190pF a 0V, 1MHz	-	-	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63	DPAK	-40°C ~ 175°C
GB02SLT12-214 DIODE SIL CARB 1200V 2A DO214AA GeneSiC Semiconductor	25,835 En stock	1 : $3.20000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $2.15001 Cinta y rollo (TR)	-	SiC Schottky MPS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	SiC (carburo de silicio) Schottky	1200 V	2A	1.8 V @ 1 A	Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io)	0 ns	50 µA @ 1200 V	131pF a 1V, 1MHz	-	-	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	DO-214AA	-55°C ~ 175°C
UJ3D1202TS DIODE SIL CARBIDE 1200V 2A TO220 onsemi	6,604 En stock	1 : $3.37000 Tubo	-	-	Tubo	Activo	SiC (carburo de silicio) Schottky	1200 V	2A	1.6 V @ 5 A	Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io)	0 ns	22 µA @ 1200 V	109pF a 1V, 1MHz	-	-	Orificio pasante	TO-220-2	TO-220-2	-55°C ~ 175°C
STPSC10H065B-TR DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK STMicroelectronics	186 En stock	1 : $3.45000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $1.49546 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	SiC (carburo de silicio) Schottky	650 V	10A	1.75 V @ 10 A	Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io)	0 ns	100 µA @ 650 V	480pF a 0V, 1MHz	-	-	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63	DPAK	-40°C ~ 175°C
GD10MPS12E DIODE SIL CARB 1200V 29A TO2522 GeneSiC Semiconductor	5,800 En stock	1 : $3.58000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $2.31002 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	SiC Schottky MPS™	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	SiC (carburo de silicio) Schottky	1200 V	29A	1.8 V @ 10 A	Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io)	0 ns	5 µA @ 1200 V	367pF a 1V, 1MHz	-	-	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63	TO-252-2	-55°C ~ 175°C
GD10MPS12A DIODE SIL CARB 1200V 25A TO220 GeneSiC Semiconductor	1,290 En stock	1 : $3.89000 Tubo	-	SiC Schottky MPS™	Tubo	Activo	SiC (carburo de silicio) Schottky	1200 V	25A	1.8 V @ 10 A	Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io)	0 ns	5 µA @ 1200 V	367pF a 1V, 1MHz	-	-	Orificio pasante	TO-220-2	TO-220-2	-55°C ~ 175°C
C3D06060A DIODE SIL CARB 600V 19A TO220-2 Wolfspeed, Inc.	631 En stock	1 : $3.90000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	Z-Rec®	Tubo	Activo	SiC (carburo de silicio) Schottky	600 V	19A	1.8 V @ 6 A	Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io)	0 ns	50 µA @ 600 V	294pF a 0V, 1MHz	-	-	Orificio pasante	TO-220-2	TO-220-2	-55°C ~ 175°C
GD05MPS17J-TR DIODE SIL CARB 1700V 15A TO2637 GeneSiC Semiconductor	1,770 En stock	1 : $5.29000 Cinta cortada (CT) 800 : $3.87001 Cinta y rollo (TR)	-	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	SiC (carburo de silicio) Schottky	1700 V	15A	1.8 V @ 5 A	Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io)	0 ns	20 µA @ 1700 V	361pF a 1V, 1MHz	-	-	Montaje en superficie	TO-263-8, conductores D2PAK (7 conductores + pestaña), TO-263CA	TO-263-7	-55°C ~ 175°C
GD05MPS17H DIODE SIL CARB 1700V 15A TO2472 GeneSiC Semiconductor	1,580 En stock	1 : $5.29000 Tubo	-	SiC Schottky MPS™	Tubo	Activo	SiC (carburo de silicio) Schottky	1700 V	15A	1.8 V @ 5 A	Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io)	0 ns	20 µA @ 1700 V	361pF a 1V, 1MHz	-	-	Orificio pasante	TO-247-2	TO-247-2	-55°C ~ 175°C
STPSC10H12G-TR DIODE SIL CARB 1200V 10A D2PAK STMicroelectronics	846 En stock	1 : $5.36000 Cinta cortada (CT) 1,000 : $2.57401 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	ECOPACK®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	SiC (carburo de silicio) Schottky	1200 V	10A	1.5 V @ 10 A	Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io)	0 ns	60 µA @ 1200 V	725pF a 0V, 1MHz	-	-	Montaje en superficie	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB	D2PAK	-40°C ~ 175°C
IDH10G120C5XKSA1 DIODE SIC 1.2KV 10A PGTO2201 Infineon Technologies	224 En stock	1 : $5.38000 Tubo	-	CoolSiC™+	Tubo	Activo	SiC (carburo de silicio) Schottky	1200 V	10A	1.8 V @ 10 A	Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io)	0 ns	62 µA @ 1200 V	525pF a 1V, 1MHz	-	-	Orificio pasante	TO-220-2	PG-TO220-2-1	-55°C ~ 175°C
C3D10060A DIODE SIL CARB 600V 30A TO220-2 Wolfspeed, Inc.	1,767 En stock	1 : $5.68000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	Z-Rec®	Tubo	Activo	SiC (carburo de silicio) Schottky	600 V	30A	1.8 V @ 10 A	Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io)	0 ns	50 µA @ 600 V	480pF a 0V, 1MHz	-	-	Orificio pasante	TO-220-2	TO-220-2	-55°C ~ 175°C
C3D10060G DIODE SIL CARB 600V 29A TO263-2 Wolfspeed, Inc.	1,048 En stock	1 : $5.68000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	Z-Rec®	Tubo	Activo	SiC (carburo de silicio) Schottky	600 V	29A	1.8 V @ 10 A	Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io)	0 ns	50 µA @ 600 V	480pF a 0V, 1MHz	-	-	Montaje en superficie	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB	TO-263-2	-55°C ~ 175°C
C3D10065E DIODE SIL CARB 650V 32A TO252-2 Wolfspeed, Inc.	3,796 En stock	1 : $5.87000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	Z-Rec®	Tubo	Activo	SiC (carburo de silicio) Schottky	650 V	32A	1.8 V @ 10 A	Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io)	0 ns	50 µA @ 650 V	460.5pF a 0V, 1MHz	-	-	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63	TO-252-2	-55°C ~ 175°C
C6D10065Q-TR DIODE SIL CARBIDE 650V 39A 4QFN Wolfspeed, Inc.	976 En stock	1 : $5.87000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $2.00674 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	SiC (carburo de silicio) Schottky	650 V	39A	1.5 V @ 10 A	Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io)	-	50 µA @ 650 V	611pF a 0V, 1MHz	-	-	Montaje en superficie	4-PowerVQFN	4-QFN (8x8)	-55°C ~ 175°C
IDH16G65C6XKSA1 DIODE SIL CARB 650V 34A PGTO220 Infineon Technologies	4,368 En stock	1 : $5.90000 Tubo	-	-	Tubo	Activo	SiC (carburo de silicio) Schottky	650 V	34A	1.35 V @ 16 A	Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io)	0 ns	53 µA @ 420 V	783pF a 1V, 1MHz	-	-	Orificio pasante	TO-220-2	PG-TO220-2	-55°C ~ 175°C

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Tipos de diodos rectificadores

Diodos rectificadores estándar

Diodos estándar (unión PN de silicio) Los diodos estándar son el tipo más básico de diodo rectificador, hecho de silicio con una unión PN. Se usan comúnmente en convertidores de CA a CC, rectificación de energía y protección general de circuitos. Estos diodos suelen tener una caída de tensión hacia delante de unos 0,7 V y son los más adecuados para la conmutación de baja frecuencia. Su tiempo de recuperación inversa (lo rápido que dejan de conducir cuando se apagan) es relativamente lento, lo que limita su uso en aplicaciones de alta velocidad. También tienen una baja corriente de fuga inversa, lo que los hace fiables para operaciones en estado estacionario.

Diodos de barrera Schottky (SBD)
Los diodos Schottky (SBD) utilizan una unión metal-semiconductor en lugar de una unión PN tradicional, lo que da lugar a velocidades de conmutación más rápidas y caídas de tensión de avance más bajas, a menudo entre 0.2 V y 0.4 V. Esto los hace ideales para convertidores de CC-CC, fuentes de alimentación de alta eficiencia y circuitos donde minimizar la pérdida de energía es crítico. Sin embargo, un inconveniente de los SBD es su mayor corriente de fuga inversa, especialmente a temperaturas elevadas, lo que puede ser una preocupación en dispositivos de precisión o que funcionan con baterías.

Rectificadores de superbarrera (SBR)
Los rectificadores de superbarrera (SBR) combinan las mejores características de los diodos estándar y los diodos Schottky. Ofrecen una baja caída de voltaje directo como los SBD, pero con una corriente de fuga inversa significativamente menor y un mejor manejo de la tensión inversa. Los SBR son adecuados para conmutar convertidores de potencia, adaptadores y electrónica automotriz, donde la eficiencia energética y la estabilidad térmica son importantes. A menudo, son una mejor opción que los diodos Schottky cuando la aplicación implica temperaturas ambiente más altas o transitorios de voltaje más grandes.

Diodos de avalancha
Los diodos de avalancha están diseñados para funcionar de manera confiable en modo de ruptura inversa, donde conducen la corriente de manera segura una vez que se supera un umbral de voltaje inverso específico. A diferencia de los diodos estándar, que pueden dañarse por avería, los diodos de avalancha están fabricados para hacer frente a esta condición de forma repetida y predecible.

Diodos de carburo de silicio (SiC)
Los diodos de SiC están construidos con carburo de silicio, un material de banda prohibida ancha que les permite manejar voltajes muy altos (600 V y más) y temperaturas extremas (>150 °C). Son ideales para convertidores industriales, cargadores de vehículos eléctricos, inversores solares y accionamientos de motor, especialmente en circuitos que requieren una conmutación rápida y un tiempo de recuperación inverso cero. Aunque son más caros que los diodos basados en silicio, su durabilidad y eficiencia a altos voltajes y frecuencias a menudo los convierten en la mejor opción a largo plazo en aplicaciones exigentes.

Tipos de diodos rectificadores

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