Diódos simples

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Cantidad disponible
Precio
Estado de la tarifa arancelaria
Serie
Paquete
Estado del producto
Tecnología
Voltaje - CC inverso (Vr) (Máx.)
Corriente - Promedio rectificado (Io)
Voltaje - Directo (Vf) (máx.) a If
Velocidad
Tiempo de recuperación inversa (trr)
Corriente - Fuga inversa a Vr
Capacitancia según Vr, F
Tipo de montaje
Paquete / Caja (carcasa)
Paquete del dispositivo del proveedor
Temperatura de funcionamiento: acoplamiento
DO-214AA
B240-13-F
DIODE SCHOTTKY 40V 2A SMB
Diodes Incorporated
27,080
En stock
1 : $0.32000
Cinta cortada (CT)
3,000 : $0.08080
Cinta y rollo (TR)
-
-
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Schottky
40 V
2A
500 mV @ 2 A
Recuperación rápida =< 500ns, > 200mA (Io)
-
500 µA @ 40 V
200pF a 4V, 1MHz
Montaje en superficie
DO-214AA, SMB
SMB
-65°C ~ 150°C
5,665
En stock
1 : $1.42000
Tubo
Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos
Tubo
Activo
Estándar
1200 V
15A
2.78 V @ 15 A
Recuperación rápida =< 500ns, > 200mA (Io)
167 ns
80 µA @ 1200 V
-
Orificio pasante
TO-220-2
TO-220AC
-55°C ~ 175°C
Demostración
de 2

Tipos de diodos rectificadores

    Diodos rectificadores estándar
  • Diodos estándar (unión PN de silicio) Los diodos estándar son el tipo más básico de diodo rectificador, hecho de silicio con una unión PN. Se usan comúnmente en convertidores de CA a CC, rectificación de energía y protección general de circuitos. Estos diodos suelen tener una caída de tensión hacia delante de unos 0,7 V y son los más adecuados para la conmutación de baja frecuencia. Su tiempo de recuperación inversa (lo rápido que dejan de conducir cuando se apagan) es relativamente lento, lo que limita su uso en aplicaciones de alta velocidad. También tienen una baja corriente de fuga inversa, lo que los hace fiables para operaciones en estado estacionario.

  • Diodos de barrera Schottky (SBD)
    Los diodos Schottky (SBD) utilizan una unión metal-semiconductor en lugar de una unión PN tradicional, lo que da lugar a velocidades de conmutación más rápidas y caídas de tensión de avance más bajas, a menudo entre 0.2 V y 0.4 V. Esto los hace ideales para convertidores de CC-CC, fuentes de alimentación de alta eficiencia y circuitos donde minimizar la pérdida de energía es crítico. Sin embargo, un inconveniente de los SBD es su mayor corriente de fuga inversa, especialmente a temperaturas elevadas, lo que puede ser una preocupación en dispositivos de precisión o que funcionan con baterías.

  • Rectificadores de superbarrera (SBR)
    Los rectificadores de superbarrera (SBR) combinan las mejores características de los diodos estándar y los diodos Schottky. Ofrecen una baja caída de voltaje directo como los SBD, pero con una corriente de fuga inversa significativamente menor y un mejor manejo de la tensión inversa. Los SBR son adecuados para conmutar convertidores de potencia, adaptadores y electrónica automotriz, donde la eficiencia energética y la estabilidad térmica son importantes. A menudo, son una mejor opción que los diodos Schottky cuando la aplicación implica temperaturas ambiente más altas o transitorios de voltaje más grandes.

  • Diodos de avalancha
    Los diodos de avalancha están diseñados para funcionar de manera confiable en modo de ruptura inversa, donde conducen la corriente de manera segura una vez que se supera un umbral de voltaje inverso específico. A diferencia de los diodos estándar, que pueden dañarse por avería, los diodos de avalancha están fabricados para hacer frente a esta condición de forma repetida y predecible.
    • En la rectificación de conmutación rápida, a veces se prefieren los diodos de avalancha sobre los diodos PN estándar debido a su comportamiento mejorado de recuperación inversa, lo que reduce las pérdidas de conmutación y mejora la eficiencia general del convertidor. Su capacidad para soportar transitorios de alto voltaje inverso sin degradación los hace particularmente adecuados para circuitos de amortiguación, convertidores flyback y topologías conmutadas de forma rígida.

  • Diodos de carburo de silicio (SiC)
    Los diodos de SiC están construidos con carburo de silicio, un material de banda prohibida ancha que les permite manejar voltajes muy altos (600 V y más) y temperaturas extremas (>150 °C). Son ideales para convertidores industriales, cargadores de vehículos eléctricos, inversores solares y accionamientos de motor, especialmente en circuitos que requieren una conmutación rápida y un tiempo de recuperación inverso cero. Aunque son más caros que los diodos basados en silicio, su durabilidad y eficiencia a altos voltajes y frecuencias a menudo los convierten en la mejor opción a largo plazo en aplicaciones exigentes.