Diódos simples | Rectificadores | Diodos | DigiKey, distribuidor de componentes electrónicos

Demostración

de 5

Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tecnología	Voltaje - CC inverso (Vr) (Máx.)	Corriente - Promedio rectificado (Io)	Voltaje - Directo (Vf) (máx.) a If	Velocidad	Corriente - Fuga inversa a Vr	Capacitancia según Vr, F	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete / Caja (carcasa)	Paquete del dispositivo del proveedor	Temperatura de funcionamiento: acoplamiento
UJ3D1202TS DIODE SIL CARBIDE 1200V 2A TO220 onsemi	6,512 En stock	1 : $3.96000 Tubo	-	-	Tubo	Activo	SiC (carburo de silicio) Schottky	1200 V	2A	1.6 V @ 5 A	Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io)	22 µA @ 1200 V	109pF a 1V, 1MHz	-	-	Orificio pasante	TO-220-2	TO-220-2	-55°C ~ 175°C
IDH10G120C5XKSA1 DIODE SIC 1.2KV 10A PGTO2201 Infineon Technologies	947 En stock	1 : $5.18000 Tubo	-	CoolSiC™+	Tubo	Activo	SiC (carburo de silicio) Schottky	1200 V	10A	1.8 V @ 10 A	Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io)	62 µA @ 1200 V	525pF a 1V, 1MHz	-	-	Orificio pasante	TO-220-2	PG-TO220-2-1	-55°C ~ 175°C
C4D20120A DIODE SIL CARB 1200V 54.5A TO220 Wolfspeed, Inc.	3,561 En stock	1 : $20.19000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	Z-Rec®	Tubo	Activo	SiC (carburo de silicio) Schottky	1200 V	54.5A	1.8 V @ 20 A	Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io)	200 µA @ 1200 V	1500pF a 0V, 1MHz	-	-	Orificio pasante	TO-220-2	TO-220-2	-55°C ~ 175°C
STPSC10H12D DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220AC STMicroelectronics	1,230 En stock	1 : $5.91000 Tubo	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	ECOPACK®2	Tubo	Última compra	SiC (carburo de silicio) Schottky	1200 V	10A	1.5 V @ 10 A	Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io)	60 µA @ 1200 V	725pF a 0V, 1MHz	-	-	Orificio pasante	TO-220-2	TO-220AC	-40°C ~ 175°C
UJ3D1210TS DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220 onsemi	8,913 En stock	1 : $7.17000 Tubo	-	-	Tubo	Activo	SiC (carburo de silicio) Schottky	1200 V	10A	1.6 V @ 10 A	Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io)	110 µA @ 1200 V	510pF a 1V, 1MHz	-	-	Orificio pasante	TO-220-2	TO-220-2	-55°C ~ 175°C

Demostración

de 5

Tipos de diodos rectificadores

Diodos rectificadores estándar

Diodos estándar (unión PN de silicio) Los diodos estándar son el tipo más básico de diodo rectificador, hecho de silicio con una unión PN. Se usan comúnmente en convertidores de CA a CC, rectificación de energía y protección general de circuitos. Estos diodos suelen tener una caída de tensión hacia delante de unos 0,7 V y son los más adecuados para la conmutación de baja frecuencia. Su tiempo de recuperación inversa (lo rápido que dejan de conducir cuando se apagan) es relativamente lento, lo que limita su uso en aplicaciones de alta velocidad. También tienen una baja corriente de fuga inversa, lo que los hace fiables para operaciones en estado estacionario.

Diodos de barrera Schottky (SBD)
Los diodos Schottky (SBD) utilizan una unión metal-semiconductor en lugar de una unión PN tradicional, lo que da lugar a velocidades de conmutación más rápidas y caídas de tensión de avance más bajas, a menudo entre 0.2 V y 0.4 V. Esto los hace ideales para convertidores de CC-CC, fuentes de alimentación de alta eficiencia y circuitos donde minimizar la pérdida de energía es crítico. Sin embargo, un inconveniente de los SBD es su mayor corriente de fuga inversa, especialmente a temperaturas elevadas, lo que puede ser una preocupación en dispositivos de precisión o que funcionan con baterías.

Rectificadores de superbarrera (SBR)
Los rectificadores de superbarrera (SBR) combinan las mejores características de los diodos estándar y los diodos Schottky. Ofrecen una baja caída de voltaje directo como los SBD, pero con una corriente de fuga inversa significativamente menor y un mejor manejo de la tensión inversa. Los SBR son adecuados para conmutar convertidores de potencia, adaptadores y electrónica automotriz, donde la eficiencia energética y la estabilidad térmica son importantes. A menudo, son una mejor opción que los diodos Schottky cuando la aplicación implica temperaturas ambiente más altas o transitorios de voltaje más grandes.

Diodos de avalancha
Los diodos de avalancha están diseñados para funcionar de manera confiable en modo de ruptura inversa, donde conducen la corriente de manera segura una vez que se supera un umbral de voltaje inverso específico. A diferencia de los diodos estándar, que pueden dañarse por avería, los diodos de avalancha están fabricados para hacer frente a esta condición de forma repetida y predecible.

Diodos de carburo de silicio (SiC)
Los diodos de SiC están construidos con carburo de silicio, un material de banda prohibida ancha que les permite manejar voltajes muy altos (600 V y más) y temperaturas extremas (>150 °C). Son ideales para convertidores industriales, cargadores de vehículos eléctricos, inversores solares y accionamientos de motor, especialmente en circuitos que requieren una conmutación rápida y un tiempo de recuperación inverso cero. Aunque son más caros que los diodos basados en silicio, su durabilidad y eficiencia a altos voltajes y frecuencias a menudo los convierten en la mejor opción a largo plazo en aplicaciones exigentes.