Arreglos FET, MOSFET

Demostración

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Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Estado de la tarifa arancelaria	Serie	Paquete	Estado del producto	Tecnología	Configuración	Característica de FET	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Potencia - Máx.	Temperatura de funcionamiento	Tipo de montaje	Paquete / Caja (carcasa)	Paquete del dispositivo del proveedor
SI4532CDY-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.3A 8SOIC Vishay Siliconix	14,835 En stock	1 : $1.06000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.23919 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Canal N y P	-	30V	6 A, 4.3 A	47mOhm a 3.5A, 10V	3V a 250µA	9nC a 10V	305pF a 15V	2.78W	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)	8-SOIC
SISB46DN-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 40V 34A PPAK 1212 Vishay Siliconix	8,822 En stock	1 : $1.16000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.32663 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	Dos canal N (doble)	-	40V	34 A (Tc)	11.71mOhm a 5A, 10V	2.2V a 250µA	11nC a 4.5V	1100pF a 20V	23W	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaje en superficie	PowerPAK® 1212-8 Dual	PowerPAK® 1212-8 Dual
SI4816BDY-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 30V 5.8A/8.2A 8SOIC Vishay Siliconix	3,125 En stock	1 : $2.37000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.69110 Cinta y rollo (TR)	Es posible que se aplique un arancel si se envía a los Estados Unidos	LITTLE FOOT®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	MOSFET (óxido de metal)	2 canales N (medio puente)	Compuerta de nivel lógico	30V	5.8 A, 8.2 A	18.5mOhm a 6.8A, 10V	3V a 250µA	10nC a 5V	-	1W, 1.25W	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)	8-SOIC

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Los FET (transistor de efecto campo) son dispositivos electrónicos que usan un campo eléctrico para controlar el flujo de corriente. La aplicación de un voltaje al terminal de la compuerta altera la conductividad entre los terminales de la fuente y del drenaje. Los FET también se conocen como transistores unipolares, ya que implican un funcionamiento de un solo tipo de portador. Es decir, el funcionamiento de los FET incluye electrones u orificios como portadores de carga, pero no ambos. Los FET generalmente muestran una impedancia de entrada muy alta a bajas frecuencias.