C3M0120065K | |
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N.º de producto de DigiKey | 1697-C3M0120065K-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | C3M0120065K |
Descripción | 650V 120M SIC MOSFET |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 650 V 22 A (Tc) 98W (Tc) TO-247-4L |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | C3M0120065K Modelos |
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
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Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | ||
Embalaje | Tubo | |
Estado de pieza | Última compra | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 650 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 15V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 157mOhm a 6.76A, 15V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 3.6V a 1.86mA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 28 nC @ 15 V | |
Vgs (máx.) | +19V, -8V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 640 pF @ 400 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 98W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
Tipo de montaje | Orificio pasante | |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247-4L | |
Paquete / Caja (carcasa) |
Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
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1 | $10.51000 | $10.51 |
10 | $7.16100 | $71.61 |
30 | $6.13633 | $184.09 |
120 | $5.19325 | $623.19 |
270 | $4.90000 | $1,323.00 |