SISS05DN-T1-GE3 | |
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N.º de producto de DigiKey | SISS05DN-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SISS05DN-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SISS05DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SISS05DN-T1-GE3 |
Descripción | MOSFET P-CH 30V 29.4A/108A PPAK |
Plazo estándar del fabricante | 18 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal P Montaje en superficie 30 V 29.4A (Ta), 108A (Tc) 5W (Ta), 65.7W (Tc) PowerPAK® 1212-8S |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SISS05DN-T1-GE3 Modelos |
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
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Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | ||
Embalaje | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | |
Estado de pieza | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 4.5V, 10V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 3.5mOhm a 10A, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 2.2V a 250µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 115 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | +16V, -20V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 4930 pF @ 15 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 5W (Ta), 65.7W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montaje | Montaje en superficie | |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerPAK® 1212-8S | |
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Número de producto base |
Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
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1 | $1.21000 | $1.21 |
10 | $0.98900 | $9.89 |
100 | $0.76890 | $76.89 |
500 | $0.65170 | $325.85 |
1,000 | $0.53088 | $530.88 |
Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
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3,000 | $0.49976 | $1,499.28 |
6,000 | $0.47596 | $2,855.76 |
9,000 | $0.45400 | $4,086.00 |