SIRA20BDP-T1-GE3 | |
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N.º de producto de DigiKey | 742-SIRA20BDP-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 742-SIRA20BDP-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) 742-SIRA20BDP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SIRA20BDP-T1-GE3 |
Descripción | MOSFET N-CH 25V 82A/335A PPAK |
Plazo estándar del fabricante | 22 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 25 V 82A (Ta), 335A (Tc) 6.3W (Ta), 104W (Tc) PowerPAK® SO-8 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
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Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | ||
Embalaje | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | |
Estado de pieza | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 25 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 0.58mOhm a 20A, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 2.1V a 250µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 186 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | +16V, -12V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 9950 pF @ 15 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 6.3W (Ta), 104W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montaje | Montaje en superficie | |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerPAK® SO-8 | |
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Número de producto base |
Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
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1 | $2.19000 | $2.19 |
10 | $1.40000 | $14.00 |
100 | $0.95030 | $95.03 |
500 | $0.75772 | $378.86 |
1,000 | $0.69579 | $695.79 |
Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
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3,000 | $0.59375 | $1,781.25 |