Name: SIHF9630STRL-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIHF9630STRL-GE3TR-ND
Price: 1.87 USD
Availability: InStock

SIHF9630STRL-GE3
N.º de producto de DigiKey	742-SIHF9630STRL-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) 742-SIHF9630STRL-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) 742-SIHF9630STRL-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SIHF9630STRL-GE3
Descripción	MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Plazo estándar del fabricante	15 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 200 V 6.5 A (Tc) 3W (Ta), 74W (Tc) TO-263 (D2PAK)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	6.5 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	800mOhm a 3.9A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	29 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	700 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3W (Ta), 74W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	SIHF9630