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SI9433BDY-T1-GE3 es obsoleto y ya no se fabrica.
Reemplazos disponibles:
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SI9433BDY-T1-GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | SI9433BDY-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SI9433BDY-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SI9433BDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SI9433BDY-T1-GE3 |
Descripción | MOSFET P-CH 20V 4.5A 8SO |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal P Montaje en superficie 20 V 4.5A (Ta) 1.3W (Ta) 8-SOIC |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Atributos del producto
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | - | |
Embalaje | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | |
Estado de pieza | Obsoleto | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 20 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 2.7V, 4.5V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 40mOhm a 6.2A, 4.5V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 1.5V a 250µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 14 nC @ 4.5 V | |
Vgs (máx.) | ±12V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 1.3W (Ta) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Montaje en superficie | |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOIC | |
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Número de producto base |
Obsoleto
Se pueden aplicar tarifas de importación a esta pieza si se envía a los Estados Unidos.
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