SI8451DB-T2-E1

N.º de producto de DigiKey
SI8451DB-T2-E1TR-ND - Cinta y rollo (TR)
SI8451DB-T2-E1CT-ND - Cinta cortada (CT)
SI8451DB-T2-E1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante
SI8451DB-T2-E1
Descripción
MOSFET P-CH 20V 10.8A 6MICROFOOT
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal P Montaje en superficie 20 V 10.8 A (Tc) 2.77W (Ta), 13W (Tc) 6-Micro Foot™ (1.5x1)
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Vishay Siliconix
Serie
TrenchFET®
Embalaje
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Estado de pieza
Obsoleto
Tipo FET
Canal P
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
10.8 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
1.5V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
80mOhm a 1A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id
1V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
24 nC @ 8 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
750 pF @ 10 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
2.77W (Ta), 13W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
6-Micro Foot™ (1.5x1)
Paquete / Caja (carcasa)
6-UFBGA
Número de producto base
SI8451
Obsoleto
Este producto ya no se fabrica.
Se pueden aplicar tarifas de importación a esta pieza si se envía a los Estados Unidos.