SI4101DY-T1-GE3 | |
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N.º de producto de DigiKey | SI4101DY-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SI4101DY-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SI4101DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SI4101DY-T1-GE3 |
Descripción | MOSFET P-CH 30V 25.7A 8SO |
Plazo estándar del fabricante | 19 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal P Montaje en superficie 30 V 25.7 A (Tc) 6W (Tc) 8-SOIC |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
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Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | ||
Embalaje | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | |
Estado de pieza | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 4.5V, 10V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 6mOhm a 15A, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 2.5V a 250µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 203 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±20V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 8190 pF @ 15 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 6W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montaje | Montaje en superficie | |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOIC | |
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Número de producto base |
Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
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1 | $1.29000 | $1.29 |
10 | $0.81400 | $8.14 |
100 | $0.53770 | $53.77 |
500 | $0.41892 | $209.46 |
1,000 | $0.38069 | $380.69 |
Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
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2,500 | $0.33929 | $848.22 |
5,000 | $0.31370 | $1,568.50 |
7,500 | $0.30067 | $2,255.03 |
12,500 | $0.28750 | $3,593.75 |