
SI3421DV-T1-GE3 | |
---|---|
N.º de producto de DigiKey | SI3421DV-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SI3421DV-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SI3421DV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SI3421DV-T1-GE3 |
Descripción | MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP |
Plazo estándar del fabricante | 19 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal P Montaje en superficie 30 V 8 A (Tc) 2W (Ta), 4.2W (Tc) 6-TSOP |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SI3421DV-T1-GE3 Modelos |
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | ||
Embalaje | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | |
Estado de pieza | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 4.5V, 10V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 19.2mOhm a 7A, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 3V a 250µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 69 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±20V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 2580 pF @ 15 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 2W (Ta), 4.2W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Montaje en superficie | |
Paquete del dispositivo del proveedor | 6-TSOP | |
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Número de producto base |
Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
---|---|---|
1 | $0.71000 | $0.71 |
10 | $0.48000 | $4.80 |
100 | $0.30960 | $30.96 |
500 | $0.23618 | $118.09 |
1,000 | $0.21248 | $212.48 |
Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
---|---|---|
3,000 | $0.17115 | $513.45 |
6,000 | $0.16718 | $1,003.08 |
9,000 | $0.15945 | $1,435.05 |
15,000 | $0.15295 | $2,294.25 |
21,000 | $0.14630 | $3,072.30 |