SI2337DS-T1-E3 | |
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N.º de producto de DigiKey | SI2337DS-T1-E3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SI2337DS-T1-E3CT-ND - Cinta cortada (CT) SI2337DS-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SI2337DS-T1-E3 |
Descripción | MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3 |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal P Montaje en superficie 80 V 2.2 A (Tc) 760mW (Ta), 2.5W (Tc) SOT-23-3 (TO-236) |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SI2337DS-T1-E3 Modelos |
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
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Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | ||
Embalaje | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | |
Estado de pieza | Última compra | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 80 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 6V, 10V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 270mOhm a 1.2A, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 4V a 250µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 17 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±20V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 500 pF @ 40 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 760mW (Ta), 2.5W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -50°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montaje | Montaje en superficie | |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23-3 (TO-236) | |
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Número de producto base |
Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
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1 | $1.53000 | $1.53 |
10 | $0.96700 | $9.67 |
100 | $0.64410 | $64.41 |
500 | $0.50548 | $252.74 |
1,000 | $0.46088 | $460.88 |
Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
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3,000 | $0.40423 | $1,212.69 |
6,000 | $0.37572 | $2,254.32 |
9,000 | $0.36250 | $3,262.50 |