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SI2333DS-T1-E3 es obsoleto y ya no se fabrica.
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Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.
SI2333DS-T1-E3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | SI2333DS-T1-E3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SI2333DS-T1-E3CT-ND - Cinta cortada (CT) SI2333DS-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SI2333DS-T1-E3 |
Descripción | MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3 |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal P Montaje en superficie 12 V 4.1 A (Ta) 750mW (Ta) SOT-23-3 (TO-236) |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SI2333DS-T1-E3 Modelos |
Atributos del producto
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | ||
Embalaje | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | |
Estado de pieza | Obsoleto | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 12 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 1.8V, 4.5V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 32mOhm a 5.3A, 4.5V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 1V a 250µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 18 nC @ 4.5 V | |
Vgs (máx.) | ±8V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 1100 pF @ 6 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 750mW (Ta) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Montaje en superficie | |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23-3 (TO-236) | |
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Número de producto base |
Obsoleto
Se pueden aplicar tarifas de importación a esta pieza si se envía a los Estados Unidos.
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