SI1037X-T1-GE3 Vishay Siliconix | Productos semiconductores discretos

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Vishay Siliconix

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SI1037X-T1-GE3
N.º de producto de DigiKey	SI1037X-T1-GE3-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de pieza del fabricante	SI1037X-T1-GE3
Descripción	MOSFET P-CH 20V 770MA SC89
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 20 V 770mA (Ta) 170mW (Ta) SC-89 (SOT-563F)

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Embalaje	Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	770mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	1.8V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	195mOhm a 770mA, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	450mV a 250µA (mín.)
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	5.5 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±8V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	170mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	SC-89 (SOT-563F)
Paquete / Caja (carcasa)	SOT-563, SOT-666
Número de producto base	SI1037