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SI1016X-T1-GE3 es obsoleto y ya no se fabrica.
Reemplazos disponibles:
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Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.
SI1016X-T1-GE3 | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | SI1016X-T1-GE3TR-ND - Cinta y rollo (TR) SI1016X-T1-GE3CT-ND - Cinta cortada (CT) SI1016X-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | SI1016X-T1-GE3 |
Descripción | MOSFET N/P-CH 20V 0.485A SC89 |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | MOSFET - Arreglos 20V 485mA, 370mA 250mW Montaje en superficie SC-89 (SOT-563F) |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | SI1016X-T1-GE3 Modelos |
Atributos del producto
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | Vishay Siliconix | |
Serie | ||
Embalaje | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | |
Estado de pieza | Obsoleto | |
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Configuración | Canal N y P | |
Característica de FET | Compuerta de nivel lógico | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 20V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | 485mA, 370mA | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 700mOhm a 600mA, 4.5V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 1V a 250µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 0.75nC a 4.5V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | - | |
Potencia - Máx. | 250mW | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montaje | Montaje en superficie | |
Paquete / Caja (carcasa) | SOT-563, SOT-666 | |
Paquete del dispositivo del proveedor | SC-89 (SOT-563F) | |
Número de producto base |
Obsoleto
Se pueden aplicar tarifas de importación a esta pieza si se envía a los Estados Unidos.
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