USD

TO-220-3

TK7E80W,S1X

N.º de producto de Digi-Key
TK7E80WS1X-ND
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante
TK7E80W,S1X
Proveedor
Descripción
MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220
Plazo estándar del fabricante
16 Semanas
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 800V 6.5 A (Ta) 110W (Tc) TO-220
Referencia del cliente
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar
Categoría
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Serie
Paquete
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
6.5 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
950mOhm a 3.3A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
4V a 280µA
Vgs (máx.)
±20V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
110W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220
Paquete / Caja (carcasa)
TO-220-3
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800V
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
13nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
700pF @ 300V
Número de producto base
Clasificaciones medioambientales y de exportación
AtributoDescripción
Estado de RoHSCumple con RoHS
Nivel de detección de humedad (MSL)1 (ilimitado)
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
Disponible para órdenes

Recursos adicionales
AtributoDescripción
Otros nombres
TK7E80W,S1X(S
TK7E80WS1X
Embalaje estándar50