TK4A55D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage | Productos de semiconductores discretos

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TK4A55D(STA4,Q,M)
N.º de producto de DigiKey	TK4A55D(STA4QM)-ND
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Número de pieza del fabricante	TK4A55D(STA4,Q,M)
Descripción	MOSFET N-CH 550V 4A TO220SIS
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 550 V 4A (Ta) 35W (Tc) TO-220SIS
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	TK4A55D(STA4,Q,M) Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	π-MOSVII
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	550 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	4A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1.88Ohm a 2A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4.4V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	11 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	490 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	35W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220SIS
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3 paquete completo
Número de producto base	TK4A55

Preguntas y respuestas sobre el producto

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