Name: TSM085P03CV RGG
Brand: Taiwan Semiconductor Corporation
SKU: TSM085P03CVRGGTR-ND
Price: 1.33 USD
Availability: InStock

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TSM085P03CV RGG
N.º de producto de DigiKey	TSM085P03CVRGGTR-ND - Cinta y rollo (TR) TSM085P03CVRGGCT-ND - Cinta cortada (CT) TSM085P03CVRGGDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Taiwan Semiconductor Corporation
Número de pieza del fabricante	TSM085P03CV RGG
Descripción	MOSFET P-CH 30V 64A 8PDFN
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 30 V 64A (Tc) 50W (Tc) 8-PDFN (3.1x3.1)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	TSM085P03CV RGG Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Taiwan Semiconductor Corporation
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	64A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	8.5mOhm a 14A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	55 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	3234 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	50W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-PDFN (3.1x3.1)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerWDFN
Número de producto base	TSM085