STP28NM60ND | ||
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N.º de producto de Digi-Key | 497-14196-5-ND | |
Fabricante | ||
Número de pieza del fabricante | STP28NM60ND | |
Descripción | MOSFET N-CH 600V 23A TO220 | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 600 V 23 A (Tc) 190W (Tc) TO-220 | |
Referencia del cliente | ||
Hoja de datos | Hoja de datos |
Tipo | Descripción | Seleccionar |
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Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | ||
Paquete | Tubo | |
Estado del producto | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | ||
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 10V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 150mOhm a 11.5A, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 5V a 250µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 62.5 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±25V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 2090 pF @ 100 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 190W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | |
Tipo de montaje | ||
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-220 | |
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Número de producto base |
Tipo de recurso | Enlace |
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Hojas de datos | ST(B,F,P,W)28NM60ND Datasheet |
Módulos de capacitación sobre productos | STMicroelectronics ST MOSFETs |
Diseño/especificación PCN | Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019 |
Ensamble/origen PCN | New Molding Compound 13/Sep/2019 |
Modelos EDA | STP28NM60ND by SnapEDA |
Atributo | Descripción |
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Estado de RoHS | Cumple con RoHS3 |
Nivel de detección de humedad (MSL) | 1 (ilimitado) |
Estado CUMPLIDO | No afectado por REACH |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
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1 | $6.70000 | $6.70 |
10 | $6.05100 | $60.51 |
100 | $5.00930 | $500.93 |
500 | $4.36202 | $2,181.01 |
1,000 | $3.79918 | $3,799.18 |
2,000 | $3.65848 | $7,316.96 |
Atributo | Descripción |
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Otros nombres | -497-14196-5 497-14196-5 |
Embalaje estándar | 50 |