RQ3E130BNTB | |
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N.º de producto de DigiKey | RQ3E130BNTBTR-ND - Cinta y rollo (TR) RQ3E130BNTBCT-ND - Cinta cortada (CT) RQ3E130BNTBDKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | RQ3E130BNTB |
Descripción | MOSFET N-CH 30V 13A 8HSMT |
Plazo estándar del fabricante | 21 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 30 V 13 A (Ta) 2W (Ta) 8-HSMT (3.2x3) |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | RQ3E130BNTB Modelos |
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
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Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | - | |
Embalaje | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | |
Estado de pieza | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 4.5V, 10V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 6mOhm a 13A, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 2.5V a 1mA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 36 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±20V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 1900 pF @ 15 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 2W (Ta) | |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | |
Tipo de montaje | Montaje en superficie | |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-HSMT (3.2x3) | |
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Número de producto base |
Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
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1 | $0.84000 | $0.84 |
10 | $0.52300 | $5.23 |
100 | $0.33850 | $33.85 |
500 | $0.25900 | $129.50 |
1,000 | $0.23339 | $233.39 |
Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
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3,000 | $0.20084 | $602.52 |
6,000 | $0.18444 | $1,106.64 |
9,000 | $0.17608 | $1,584.72 |
15,000 | $0.16669 | $2,500.35 |
21,000 | $0.16113 | $3,383.73 |
30,000 | $0.15750 | $4,725.00 |