UPA2810T1L-E2-AY Renesas Electronics Corporation | Productos semiconductores discretos

UPA2810T1L-E2-AY
N.º de producto de DigiKey	2156-UPA2810T1L-E2-AY-ND
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Número de pieza del fabricante	UPA2810T1L-E2-AY
Descripción	MOSFET P-CH 30V 13A 8DFN
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 30 V 13 A (Ta) 1.5W (Ta) 8-DFN3333 (3.3x3.3)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Serie	-
Embalaje	Granel
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	13 A (Ta)
Rds On (máx) @ Id, Vgs	12mOhm a 13A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	40 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1860 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-DFN3333 (3.3x3.3)
Paquete / Caja (carcasa)	Placa descubierta 8-VDFN