RJK03M6DNS-00#J5 Renesas Electronics Corporation | Productos de semiconductores discretos

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

RJK03M6DNS-00#J5
N.º de producto de DigiKey	2156-RJK03M6DNS-00#J5-RETR-ND
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Número de pieza del fabricante	RJK03M6DNS-00#J5
Descripción	MOSFET N-CH 30V 16A 8HWSON
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 16A (Ta) 12.5W (Tc) 8-HWSON (3.3x3.3)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Serie	-
Embalaje	Granel
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	16A (Ta)
Rds On (máx) @ Id, Vgs	9.2mOhm a 8A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	-
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	7.1 nC @ 4.5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1190 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	12.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-HWSON (3.3x3.3)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerWDFN