Name: IRFD210
Brand: Harris Corporation
SKU: 2156-IRFD210-ND
Price: 1.34 USD
Availability: InStock

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IRFD210
N.º de producto de DigiKey	2156-IRFD210-ND
Fabricante	Harris Corporation
Número de pieza del fabricante	IRFD210
Descripción	0.6A 200V 1.500 OHM N-CHANNEL
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 200 V 600mA (Ta) 1W (Ta) 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Harris Corporation
Serie	-
Embalaje	Granel
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	600mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1.5Ohm a 360mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	8.2 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	140 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Paquete / Caja (carcasa)	4-DIP (0.300", 7.62mm)
Número de producto base	IRFD210