FQP4N20 Fairchild Semiconductor | Productos semiconductores discretos

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FQP4N20
N.º de producto de DigiKey	2156-FQP4N20-FS-ND
Fabricante	Fairchild Semiconductor
Número de pieza del fabricante	FQP4N20
Descripción	MOSFET N-CH 200V 3.6A TO220-3
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 200 V 3.6 A (Tc) 45W (Tc) TO-220-3
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Fairchild Semiconductor
Serie	QFET®
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	3.6 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1.4Ohm a 1.8A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	6.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	220 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	45W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3

En stock: 10,753

PRODUCTO DEL MERCADO

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