FQB7N60TM-WS Fairchild Semiconductor | Productos de semiconductores discretos

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FQB7N60TM-WS
N.º de producto de DigiKey	2156-FQB7N60TM-WS-600039-ND
Fabricante	Fairchild Semiconductor
Número de pieza del fabricante	FQB7N60TM-WS
Descripción	FQB7N60 - MOSFET N-CHANNEL SINGL
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 600 V 7.4A (Tc) 3.13W (Ta), 142W (Tc) TO-263 (D2PAK)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Fairchild Semiconductor
Serie	QFET®
Embalaje	Granel
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	7.4A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1Ohm a 3.7A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	38 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1430 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3.13W (Ta), 142W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB