FDPF12N50NZ Fairchild Semiconductor | Productos de semiconductores discretos

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FDPF12N50NZ
N.º de producto de DigiKey	2156-FDPF12N50NZ-ND
Fabricante	Fairchild Semiconductor
Número de pieza del fabricante	FDPF12N50NZ
Descripción	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 500 V 11.5A (Tc) 42W (Tc) TO-220F-3
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Fairchild Semiconductor
Serie	UniFET-II™
Embalaje	Granel
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	500 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	11.5A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	520mOhm a 5.75A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	30 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1235 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	42W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220F-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3 paquete completo