FDG361N Fairchild Semiconductor | Productos de semiconductores discretos

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FDG361N
N.º de producto de DigiKey	2156-FDG361N-FSTR-ND
Fabricante	Fairchild Semiconductor
Número de pieza del fabricante	FDG361N
Descripción	MOSFET N-CH 100V 600MA SC88
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 600mA (Ta) 420mW (Ta) SC-88 (SC-70-6)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Fairchild Semiconductor
Serie	PowerTrench®
Embalaje	Granel
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	600mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	500mOhm a 600mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	153 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	420mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	SC-88 (SC-70-6)
Paquete / Caja (carcasa)	6-TSSOP, SC-88, SOT-363