FDB4020P Fairchild Semiconductor | Productos de semiconductores discretos

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FDB4020P
N.º de producto de DigiKey	2156-FDB4020P-FSTR-ND
Fabricante	Fairchild Semiconductor
Número de pieza del fabricante	FDB4020P
Descripción	MOSFET P-CH 20V 16A TO263AB
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 20 V 16A (Ta) 37.5W (Tc) TO-263 (D2PAK)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Fairchild Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Granel
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	16A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	2.5V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	80mOhm a 8A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	1V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	13 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	665 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	37.5W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-65°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB