Name: BSP324L6327
Brand: Infineon Technologies
SKU: 2156-BSP324L6327-ND
Price: 0.29 USD
Availability: InStock

BSP324L6327
N.º de producto de DigiKey	2156-BSP324L6327-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	BSP324L6327
Descripción	N-CHANNEL POWER MOSFET
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 400 V 170mA (Ta) 1.8W (Ta) PG-SOT223-4-21
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	SIPMOS®
Embalaje	Granel
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	400 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	170mA (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	25Ohm a 170mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.3V a 94µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	5.9 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	154 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.8W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-SOT223-4-21
Paquete / Caja (carcasa)	TO-261-4, TO-261AA