Name: NTR4170NT1G
Brand: onsemi
SKU: NTR4170NT1GOSTR-ND
Price: 0.42 USD
Availability: InStock

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NTR4170NT1G
N.º de producto de DigiKey	NTR4170NT1GOSTR-ND - Cinta y rollo (TR) NTR4170NT1GOSCT-ND - Cinta cortada (CT) NTR4170NT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	NTR4170NT1G
Descripción	MOSFET N-CH 30V SOT23-3
Plazo estándar del fabricante	19 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 2.4 A (Ta) 480mW (Ta) SOT-23-3 (TO-236)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	NTR4170NT1G Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	2.4 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	2.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	55mOhm a 3.2A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	1.4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	4.76 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	432 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	480mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja (carcasa)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base	NTR4170