FDFMA2P029Z-F106 es obsoleto y ya no se fabrica.

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Precio por unidad : $1.08000

FDFMA2P029Z-F106
N.º de producto de DigiKey	488-FDFMA2P029Z-F106TR-ND - Cinta y rollo (TR) 488-FDFMA2P029Z-F106CT-ND - Cinta cortada (CT) 488-FDFMA2P029Z-F106DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	onsemi
Número de pieza del fabricante	FDFMA2P029Z-F106
Descripción	MOSFET P-CH 20V 3.1A 6MICROFET
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 20 V 3.1 A (Ta) 1.4W (Ta) 6-MicroFET (2x2)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	onsemi
Serie	PowerTrench®
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	3.1 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	2.5V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	95mOhm a 3.1A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	1.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	10 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	720 pF @ 10 V
Característica de FET	Diodo Schottky (aislado)
Disipación de potencia (Máx.)	1.4W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	6-MicroFET (2x2)
Paquete / Caja (carcasa)	Placa descubierta 6-VDFN
Número de producto base	FDFMA2