USD

TO-252-3

RFD16N05LSM9A

N.º de producto de Digi-Key
RFD16N05LSM9ATR-ND - Cinta y rollo (TR)
RFD16N05LSM9ACT-ND - Cinta cortada (CT)
RFD16N05LSM9ADKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
ON Semiconductor
Número de pieza del fabricante
RFD16N05LSM9A
Proveedor
Descripción
MOSFET N-CH 50V 16A TO252AA
Plazo estándar del fabricante
8 Semanas
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 50V 16 A (Tc) 60W (Tc) TO-252AA
Referencia del cliente
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar
Categoría
Fabricante
ON Semiconductor
Serie
-
Paquete
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
16 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
4V, 5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
47mOhm a 16A, 5V
Vgs(th) (máx) a Id
2V a 250mA
Vgs (máx.)
±10V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
60W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-252AA
Paquete / Caja (carcasa)
TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
50V
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
80nC @ 10V
Número de producto base
Clasificaciones medioambientales y de exportación
AtributoDescripción
Estado de RoHSCumple con RoHS3
Nivel de detección de humedad (MSL)1 (ilimitado)
Estado CUMPLIDONo afectado por REACH
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
Precio y compra

Recursos adicionales
AtributoDescripción
Otros nombres
RFD16N05LSM9ATR
RFD16N05LSM9ACT
RFD16N05LSM9ADKR
Embalaje estándar2,500