USD

SC-88

NVJS4151PT1G

N.º de producto de Digi-Key
NVJS4151PT1GOSTR-ND - Cinta y rollo (TR)
NVJS4151PT1GOSCT-ND - Cinta cortada (CT)
NVJS4151PT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
ON Semiconductor
Número de pieza del fabricante
NVJS4151PT1G
Proveedor
Descripción
MOSFET P-CH 20V 3.2A SC88
Plazo estándar del fabricante
44 Semanas
Descripción detallada
Canal P Montaje en superficie 20V 3.2 A (Ta) 1.2W (Ta) SC-88/SC70-6/SOT-363
Referencia del cliente
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar
Categoría
Fabricante
ON Semiconductor
Serie
-
Paquete
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal P
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
3.2 A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
1.5V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
67mOhm a 2.9A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id
1.2V a 250µA
Vgs (máx.)
±12V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
1.2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
SC-88/SC70-6/SOT-363
Paquete / Caja (carcasa)
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20V
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
10nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
850pF @ 10V
Número de producto base
Clasificaciones medioambientales y de exportación
AtributoDescripción
Estado de RoHSCumple con RoHS3
Nivel de detección de humedad (MSL)1 (ilimitado)
Estado CUMPLIDONo afectado por REACH
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
Precio y compra

Recursos adicionales
AtributoDescripción
Otros nombres
NVJS4151PT1G-ND
NVJS4151PT1GOSTR
NVJS4151PT1GOSCT
NVJS4151PT1GOSDKR
Embalaje estándar3,000