USD

8-SOIC

FDS5672

N.º de producto de Digi-Key
FDS5672TR-ND - Cinta y rollo (TR)
FDS5672CT-ND - Cinta cortada (CT)
FDS5672DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
ON Semiconductor
Número de pieza del fabricante
FDS5672
Proveedor
Descripción
MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
Plazo estándar del fabricante
17 Semanas
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 60V 12 A (Tc) 2.5W (Ta) 8-SOIC
Referencia del cliente
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar
Categoría
Fabricante
ON Semiconductor
Serie
Paquete
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
12 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
10mOhm a 12A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
4V a 250µA
Vgs (máx.)
±20V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
2.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
8-SOIC
Paquete / Caja (carcasa)
8-SOIC (ancho 0.154"", 3.90mm)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60V
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
45nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
2200pF @ 25V
Número de producto base
Clasificaciones medioambientales y de exportación
AtributoDescripción
Estado de RoHSCumple con RoHS3
Nivel de detección de humedad (MSL)1 (ilimitado)
Estado CUMPLIDONo afectado por REACH
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
Precio y compra

Recursos adicionales
AtributoDescripción
Otros nombres
FDS5672-ND
FDS5672TR
FDS5672CT
FDS5672DKR
Embalaje estándar2,500