USD

8-PowerTDFN, Power56
8-PowerTDFN, Power56
8-TDFN Exposed Pad

FDMS8320L

N.º de producto de Digi-Key
FDMS8320LTR-ND - Cinta y rollo (TR)
FDMS8320LCT-ND - Cinta cortada (CT)
FDMS8320LDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
ON Semiconductor
Número de pieza del fabricante
FDMS8320L
Proveedor
Descripción
MOSFET N-CH 40V 36A/100A 8PQFN
Plazo estándar del fabricante
32 Semanas
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 40V 36 A (Ta), 100 A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) 8-PQFN (5x6)
Referencia del cliente
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar
Categoría
Fabricante
ON Semiconductor
Serie
Paquete
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
36 A (Ta), 100 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
1.1mOhm a 32A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
3V a 250µA
Vgs (máx.)
±20V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
2.5W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
8-PQFN (5x6)
Paquete / Caja (carcasa)
8-PowerTDFN
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40V
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
170nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
11110pF @ 20V
Número de producto base
Clasificaciones medioambientales y de exportación
AtributoDescripción
Estado de RoHSCumple con RoHS3
Nivel de detección de humedad (MSL)1 (ilimitado)
Estado CUMPLIDONo afectado por REACH
ECCNEAR99
HTSUS8541.29.0095
Precio y compra

Recursos adicionales
AtributoDescripción
Otros nombres
FDMS8320L-ND
FDMS8320LTR
FDMS8320LCT
FDMS8320LDKR
Embalaje estándar3,000