VP0109N3-G | |
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N.º de producto de DigiKey | VP0109N3-G-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | VP0109N3-G |
Descripción | MOSFET P-CH 90V 250MA TO92-3 |
Plazo estándar del fabricante | 4 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal P Orificio pasante 90 V 250mA (Tj) 1W (Tc) TO-92-3 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | VP0109N3-G Modelos |
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
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Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | - | |
Embalaje | Bolsa | |
Estado de pieza | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 90 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 5V, 10V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 8Ohm a 500mA, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 3.5V a 1mA | |
Vgs (máx.) | ±20V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 60 pF @ 25 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 1W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montaje | Orificio pasante | |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-92-3 | |
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Número de producto base |
Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
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1 | $1.16000 | $1.16 |
25 | $0.98000 | $24.50 |
100 | $0.89000 | $89.00 |