VP0109N3-G

N.º de producto de DigiKey
VP0109N3-G-ND
Fabricante
Número de pieza del fabricante
VP0109N3-G
Descripción
MOSFET P-CH 90V 250MA TO92-3
Plazo estándar del fabricante
4 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal P Orificio pasante 90 V 250mA (Tj) 1W (Tc) TO-92-3
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
VP0109N3-G Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Serie
-
Embalaje
Bolsa
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
90 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
8Ohm a 500mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
3.5V a 1mA
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
60 pF @ 25 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
1W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-92-3
Paquete / Caja (carcasa)
Número de producto base
Todos los precios se expresan en USD
Bolsa
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
1$1.16000$1.16
25$0.98000$24.50
100$0.89000$89.00