IXTH200N10T | |
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N.º de producto de DigiKey | IXTH200N10T-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | IXTH200N10T |
Descripción | MOSFET N-CH 100V 200A TO247 |
Plazo estándar del fabricante | 25 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 100 V 200 A (Tc) 550W (Tc) TO-247 (IXTH) |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
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Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | ||
Embalaje | Tubo | |
Estado de pieza | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 100 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 10V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 5.5mOhm a 50A, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 4.5V a 250µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 152 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±30V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 9400 pF @ 25 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 550W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Orificio pasante | |
Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247 (IXTH) | |
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Número de producto base |
Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
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1 | $9.58000 | $9.58 |
30 | $5.82433 | $174.73 |
120 | $5.05917 | $607.10 |
510 | $4.70875 | $2,401.46 |