IRF200P222 Infineon Technologies | Productos semiconductores discretos

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IRF200P222
N.º de producto de DigiKey	448-IRF200P222-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IRF200P222
Descripción	MOSFET N-CH 200V 182A TO247AC
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 200 V 182 A (Tc) 556W (Tc) TO-247AC
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	StrongIRFET™
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Discontinuo en Digi-Key
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	200 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	182 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	6.6mOhm a 82A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 270µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	203 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	9820 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	556W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-247AC
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-3
Número de producto base	IRF200

En stock: 384

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Cantidad

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Tubo

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	$9.37000	$9.37
25	$5.50800	$137.70
100	$4.74300	$474.30

Paquete estándar del fabricante

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