IPS60R1K0PFD7SAKMA1 | |
---|---|
N.º de producto de DigiKey | 448-IPS60R1K0PFD7SAKMA1-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | IPS60R1K0PFD7SAKMA1 |
Descripción | MOSFET N-CH 650V 4.7A TO251-3 |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 650 V 4.7 A (Tc) 26W (Tc) PG-TO251-3 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | ||
Embalaje | Tubo | |
Estado de pieza | Obsoleto | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 650 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 10V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 1Ohm a 1A, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 4.5V a 50µA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 6 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±20V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 230 pF @ 400 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 26W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montaje | Orificio pasante | |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO251-3 | |
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Número de producto base |