IPP65R110CFDXKSA2

N.º de producto de DigiKey
448-IPP65R110CFDXKSA2-ND
Fabricante
Número de pieza del fabricante
IPP65R110CFDXKSA2
Descripción
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220-3
Plazo estándar del fabricante
15 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Orificio pasante 650 V 31.2 A (Tc) 277.8W (Tc) PG-TO220-3
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Serie
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
110mOhm a 12.7A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
4.5V a 1.3mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
118 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
3240 pF @ 100 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
277.8W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-TO220-3
Paquete / Caja (carcasa)
Número de producto base
En stock: 386
Puede enviarse inmediatamente
Todos los precios se expresan en USD
Tubo
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
1$6.22000$6.22
50$3.30620$165.31
100$3.02500$302.50
500$2.55500$1,277.50
Paquete estándar del fabricante
Aviso: Debido a los servicios de valor añadido de DigiKey, el tipo de embalaje puede cambiar cuando el producto se adquiere en cantidades inferiores al embalaje estándar.