USD

TO252-3
IPD25N06S4L30ATMA2
N.º de producto de Digi-Key
IPD25N06S4L30ATMA2TR-ND - Cinta y rollo (TR)
IPD25N06S4L30ATMA2CT-ND - Cinta cortada (CT)
IPD25N06S4L30ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante
IPD25N06S4L30ATMA2
Proveedor
Descripción
MOSFET N-CH 60V 25A TO252-3
Plazo estándar del fabricante
12 Semanas
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 25 A (Tc) 29W (Tc) PG-TO252-3-11
Referencia del cliente
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar
Categoría
Fabricante
Infineon Technologies
Serie
Paquete
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Estado de la pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
25 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
30mOhm a 25A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
2.2V a 8µA
Vgs (máx.)
±16V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
29W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-TO252-3-11
Paquete / Caja (carcasa)
TO-252-3, DPak (2 conductores + lengüeta), SC-63
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
16.3 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
1220 pF @ 25 V
Clasificaciones medioambientales y de exportación
AtributoDescripción
Estado de RoHSCumple con RoHS3
Nivel de detección de humedad (MSL)1 (ilimitado)
Precio y compra

11,668 En stock
Puede enviarse inmediatamente
Descuento Precio por unidad Precio total
1$0.85000$0.85
10$0.75100$7.51
25$0.70600$17.65
100$0.51230$51.23
500$0.42808$214.04
1,000$0.36432$364.32
Recursos adicionales
AtributoDescripción
Otros nombres
IPD25N06S4L30ATMA2-ND
IPD25N06S4L30ATMA2TR
SP001028636
Embalaje estándar2,500