IMW120R090M1HXKSA1 | |
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N.º de producto de DigiKey | IMW120R090M1HXKSA1-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | IMW120R090M1HXKSA1 |
Descripción | SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-3 |
Plazo estándar del fabricante | 12 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Orificio pasante 1200 V 26 A (Tc) 115W (Tc) PG-TO247-3-41 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | IMW120R090M1HXKSA1 Modelos |
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
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Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | ||
Embalaje | Tubo | |
Estado de pieza | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 1200 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 15V, 18V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 117mOhm a 8.5A, 18V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 5.7V a 3.7mA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 21 nC @ 18 V | |
Vgs (máx.) | +23V, -7V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 707 pF @ 800 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 115W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Orificio pasante | |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TO247-3-41 | |
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Número de producto base |
Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
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1 | $7.25000 | $7.25 |
30 | $4.59800 | $137.94 |
120 | $4.23442 | $508.13 |
510 | $3.90612 | $1,992.12 |