Name: IAUCN10S7N021ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUCN10S7N021ATMA1TR-ND
Price: 4.8 USD
Availability: InStock

Foto demostrada es una representación solamente. Datos específicos deben se obtener de las hojas de datos del producto.

IAUCN10S7N021ATMA1
N.º de producto de DigiKey	448-IAUCN10S7N021ATMA1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 448-IAUCN10S7N021ATMA1CT-ND - Cinta cortada (CT) 448-IAUCN10S7N021ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IAUCN10S7N021ATMA1
Descripción	MOSFET_(75V 120V(
Plazo estándar del fabricante	26 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 175A (Tj) 217W (Tc) PG-TDSON-8-53
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	IAUCN10S7N021ATMA1 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 7
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	175A (Tj)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	7V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	2.1mOhm a 88A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	3.2V a 130µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	105 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	7153 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	217W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TDSON-8-53
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN