SIRA20 Vishay Siliconix

Productos semiconductores discretos | FET simple, MOSFET

Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)

SIRA20DP-T1-RE3 MOSFET N-CH 25V 81.7A/100A PPAK Vishay Siliconix	1,494 En stock	1 : $2.12000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.59469 Cinta y rollo (TR)	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	25 V	81.7 A (Ta), 100 A (Tc)	4.5V, 10V	0.58mOhm a 20A, 10V	2.1V a 250µA	200 nC @ 10 V	+16V, -12V	10850 pF @ 10 V	-	6.25W (Ta), 104W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaje en superficie	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
SIRA20BDP-T1-GE3 MOSFET N-CH 25V 82A/335A PPAK Vishay Siliconix	8,287 En stock	1 : $2.19000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.59375 Cinta y rollo (TR)	TrenchFET® Gen IV	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	25 V	82A (Ta), 335A (Tc)	-	0.58mOhm a 20A, 10V	2.1V a 250µA	186 nC @ 10 V	+16V, -12V	9950 pF @ 15 V	-	6.3W (Ta), 104W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaje en superficie	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8

Demostración

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