SIRA18

Productos semiconductores discretos | FET simple, MOSFET

	Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
	SIRA18ADP-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 30.6A PPAK SO-8 Vishay Siliconix	12,515 En stock	1 : $0.68000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.15642 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	30.6 A (Tc)	4.5V, 10V	8.7mOhm a 10A, 10V	2.4V a 250µA	21.5 nC @ 10 V	+20V, -16V	1000 pF @ 15 V	-	14.7W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaje en superficie	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
	SIRA18BDP-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 19A/40A PPAK SO8 Vishay Siliconix	14,974 En stock	1 : $0.75000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.17509 Cinta y rollo (TR)	TrenchFET® Gen IV	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	19 A (Ta), 40 A (Tc)	4.5V, 10V	6.83mOhm a 10A, 10V	2.4V a 250µA	19 nC @ 10 V	+20V, -16V	680 pF @ 15 V	-	3.8W (Ta), 17W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaje en superficie	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
	SIRA18DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8 Vishay Siliconix	2,294 En stock	1 : $1.00000 Cinta cortada (CT) 3,000 : $0.24492 Cinta y rollo (TR)	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	33 A (Tc)	4.5V, 10V	7.5mOhm a 10A, 10V	2.4V a 250µA	21.5 nC @ 10 V	+20V, -16V	1000 pF @ 15 V	-	3.3W (Ta), 14.7W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaje en superficie	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8
	SIRA18DP-T1-RE3 MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8 Vishay Siliconix	0 En stock Consultar el plazo de entrega	3,000 : $0.18891 Cinta y rollo (TR)	TrenchFET®	Cinta y rollo (TR)	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	30 V	33 A (Tc)	4.5V, 10V	7.5mOhm a 10A, 10V	2.4V a 250µA	21.5 nC @ 10 V	+20V, -16V	1000 pF @ 15 V	-	14.7W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaje en superficie	PowerPAK® SO-8	PowerPAK® SO-8

Demostración

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