SI4056

Vishay Siliconix

Productos semiconductores discretos | FET simple, MOSFET

Número de parte del fabricante
Cantidad disponible
Precio
Serie
Paquete
Estado del producto
Tipo FET
Tecnología
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
Rds On (máx) @ Id, Vgs
Vgs(th) (máx) a Id
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
Vgs (máx.)
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
Característica de FET
Disipación de potencia (Máx.)
Temperatura de funcionamiento
Tipo de montaje
Paquete del dispositivo del proveedor
Paquete / Caja (carcasa)
8-SOIC
SI4056ADY-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 5.9A/8.3A 8SOIC
Vishay Siliconix
20,197
En stock
1 : $1.27000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.33060
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
5.9A (Ta), 8.3A (Tc)
-
29.2mOhm a 5.9A, 10V
2.5V a 250µA
29 nC @ 10 V
±20V
1330 pF @ 50 V
-
2.5W (Ta), 5W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje en superficie
8-SOIC
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
8-SOIC
SI4056DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SO
Vishay Siliconix
4,739
En stock
1 : $1.29000
Cinta cortada (CT)
2,500 : $0.33929
Cinta y rollo (TR)
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Activo
Canal N
MOSFET (óxido de metal)
100 V
11.1 A (Tc)
4.5V, 10V
23mOhm a 15A, 10V
2.8V a 250µA
29.5 nC @ 10 V
±20V
900 pF @ 50 V
-
2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje en superficie
8-SOIC
8-SOIC (0.154", 3.90mm de ancho)
Demostración
de 2