RD3G07 Rohm Semiconductor

Productos semiconductores discretos | Transistores - FET, MOSFET - Individual

Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)

RD3G07BATTL1 PCH -40V -70A POWER MOSFET - RD3 Rohm Semiconductor	12,149 En stock	1 : $3.11000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $0.95625 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal P	MOSFET (óxido de metal)	40 V	70 A (Tc)	4.5V, 10V	7.1mOhm a 70A, 10V	2.5V a 1mA	105 nC @ 10 V	±20V	5550 pF @ 20 V	-	101W (Tc)	150°C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252	TO-252-3, DPAK (2 conductores + lengüeta), SC-63
RD3G07BBGTL1 NCH 40V 70A, TO-252, POWER MOSF Rohm Semiconductor	2,474 En stock	1 : $3.76000 Cinta cortada (CT) 2,500 : $1.23625 Cinta y rollo (TR)	-	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	40 V	70 A (Tc)	4.5V, 10V	2.3mOhm a 70A, 10V	2.5V a 1mA	56 nC @ 10 V	±20V	3540 pF @ 20 V	-	89W (Tc)	150°C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252	TO-252-3, DPAK (2 conductores + lengüeta), SC-63

Demostración

de 2