IRFZ34 Infineon Technologies

Productos semiconductores discretos | FET simple, MOSFET

Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)

IRFZ34NPBF MOSFET N-CH 55V 29A TO220AB Infineon Technologies	752 En stock	1 : $1.27000 Tubo	HEXFET®	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	55 V	29 A (Tc)	10V	40mOhm a 16A, 10V	4V a 250µA	34 nC @ 10 V	±20V	700 pF @ 25 V	-	68W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Orificio pasante	TO-220AB	TO-220-3
IRFZ34NSTRLPBF MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK Infineon Technologies	4,481 En stock	1 : $2.06000 Cinta cortada (CT) 800 : $0.66900 Cinta y rollo (TR)	HEXFET®	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	55 V	29 A (Tc)	10V	40mOhm a 16A, 10V	4V a 250µA	34 nC @ 10 V	±20V	700 pF @ 25 V	-	3.8W (Ta), 68W (Tc)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaje en superficie	D2PAK	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB

Demostración

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