IPW60R045

Productos semiconductores discretos | Transistores - FET, MOSFET - Individual

Comparar	Número de parte del fabricante	Cantidad disponible	Precio	Serie	Paquete	Estado del producto	Tipo FET	Tecnología	Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	Rds On (máx) @ Id, Vgs	Vgs(th) (máx) a Id	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	Vgs (máx.)	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	Característica de FET	Disipación de potencia (Máx.)	Temperatura de funcionamiento	Grado	Calificación	Tipo de montaje	Paquete del dispositivo del proveedor	Paquete / Caja (carcasa)
	IPW60R045P7XKSA1 MOSFET N-CH 650V 61A TO247-3-41 Infineon Technologies	1,825 En stock	1 : $6.78000 Tubo	CoolMOS™ P7	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	61 A (Tc)	10V	45mOhm a 22.5A, 10V	4V a 1.08mA	90 nC @ 10 V	±20V	3891 pF @ 400 V	-	201W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	PG-TO247-3-41	TO-247-3
	IPW60R045CPFKSA1 MOSFET N-CH 650V 60A TO247-3 Infineon Technologies	1,429 En stock	1 : $18.46000 Tubo	CoolMOS™	Tubo	No para diseños nuevos	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	650 V	60 A (Tc)	10V	45mOhm a 44A, 10V	3.5V a 3mA	190 nC @ 10 V	±20V	6800 pF @ 100 V	-	431W (Tc)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Orificio pasante	PG-TO247-3-1	TO-247-3
	IPW60R045CPAFKSA1 MOSFET N-CH 600V 60A TO247-3 Infineon Technologies	1,198 En stock	1 : $20.00000 Tubo	CoolMOS™	Tubo	Activo	Canal N	MOSFET (óxido de metal)	600 V	60 A (Tc)	10V	45mOhm a 44A, 10V	3.5V a 3mA	190 nC @ 10 V	±20V	6800 pF @ 100 V	-	431W (Tc)	-40°C ~ 150°C (TJ)	Uso automotriz	AEC-Q101	Orificio pasante	PG-TO247-3	TO-247-3

Demostración

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